TF1010 Прах от въглеродни нанотръби с една стена

TF1010 is an electronic-grade ultra-high-purity single-walled carbon nanotube powder prepared by Shandong Tanfeng using super-growth CVD coupled with multi-stage high-temperature deep purification and targeted catalytic impurity removal processes. It is the highest-purity model in the entire single-walled product line, forming a clear gradient distinction from the TF1000 basic single-walled type. The tube diameter is precisely controlled within a narrow distribution range of 1.5–1.7 nm, the pristine carbon tube length is >100 μm, the Raman G/D ratio is >50, а дефектите на аморфния въглерод на стената на тръбата са изключително ниски. Основният диференциран индикатор: ефективната чистота на едностенните въглеродни тръби е по-голяма или равна на 98,5%, значително по-висока от 80% чистота на TF1000. Металната пепел се контролира градиентно до ниво от сто ppm, остатъчните примеси в катализатора са значително намалени, като основно се избягва изтичането на полупроводникови устройства, страничните реакции на батерията и проблемите с отклонението на сигнала.

Безшевната тръбна структура на еднослоен графен съчетава балистична електронна проводимост, свръхвисока еластичност и ултра голяма специфична повърхност (500–1000 m²/g). Добавеното количество на просмукване може да бъде толкова ниско, колкото 0,03%, за да се образува проводяща мрежа с пълен домейн, подходяща за тънкослойни транзистори с усъвършенстван процес от 7 nm и под, гъвкави логически вериги, силициево-въглеродни аноди с висока чистота, военно и космическо леко екраниране, ултра-високо чувствителен следов биосензор и други строги сценарии с висока точност.

Фабриката е оборудвана с пълен комплект специално оборудване за изпитване на материали с висока чистота, включително TEM с висока разделителна способност, Raman спектроскопия, TGA термогравиметрия и ICP-OES. Всяка партида се издава с пълен набор от специални доклади за изпитване на съдържанието на една стена, метални примеси, диаметър на тръбата и дължина. Само проби с висока чистота на ниво грам и пилотни партиди на ниво килограм се предоставят на изследователски институти, предприятия за полупроводници и водещи производители на твърдотелни батерии. Модифицирани прахове с висока чистота с амино и карбоксилни групи могат да бъдат персонализирани, за да се адаптират към дисперсия вода/органичен разтворител. Пълен набор от RoHS, REACH, ICP специални доклади за примеси с висока чистота и MSDS информационни листове за безопасност са пълни, отговаряйки на строгите стандарти за одит на допускане на материали за внос и износ на военни и полупроводници.

Опаковка: Вакуумни торби от алуминиево фолио, PE композитни торби, торби за тонове, персонализирани

През 2022 г. компанията инвестира 50 милиона RMB, за да създаде „Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd.“ в Хезе, провинция Шандонг, със застроена площ от 4000 квадратни метра. Сега е национално високотехнологично предприятие с над десет независими патента.

Втора фаза на производствен и център за научноизследователска и развойна дейност е планирана за изграждане през 2027 г. Компанията е преминала международно сертифициране на системата за качество ISO9001 и е създала усъвършенстван център за производство на наноматериали и технически услуги, обхващащ целия процес на работа, научноизследователска и развойна дейност, пилотно производство и производство. В момента притежава пълни производствени линии за прах от въглеродни нанотръби, каша от въглеродни нанотръби, мастербач от въглеродни нанотръби, влакна от въглеродни нанотръби и филм от въглеродни нанотръби.

Имаме професионални тестове и сертифициране. За наистина наномащабни въглеродни нанотръби, технологията Tanfeng предоставя данни за характеризиране на различни модели, като SEM изображения, AFM изображения, HRTEM изображения, Raman спектроскопия и модели на прахова рентгенова дифракция.

Чистота на една стена По-голяма или равна на 98,5%, изключително ниско съдържание на примеси и различни тръби, адаптиране към изискванията за съотношение включване/изключване на полупроводникови устройства

В сравнение с едностенната чистота на TF1000 от само 80%, TF1010 премахва многостенните въглеродни тръби и аморфните въглеродни частици чрез многоетапно пречистване, като примесите от различни фази представляват по-малко от 1,5%. Когато се използва в тънкослойни полеви транзистори, съотношението включване/изключване на устройството се увеличава с повече от 10 пъти, без изтичане или изкривяване на сигнала, причинено от различни метални тръби, адаптиране към изследванията и развитието на 7 nm и по-ниски напреднали базирани на въглерод интегрални схеми.

Предлагат се три степени на ултраниска метална пепел, напълно решаващи проблема с повредата на миграцията на следи от метални йони

Осигурява три спецификации на пепелта:<100 ppm / <500 ppm / <2000 ppm. Military and semiconductor chips can choose the ultra-pure grade within 100 ppm. Eliminates catalyst metal residue precipitating during device energization, avoiding wafer short circuits, continuous solid-state battery side reactions, and sensor baseline drift.

1.5–1.7 nm narrow tube diameter distribution + >100 μm ултра-дълги девствени тръби, изключително ниско запълване, без блокиране на светлинното предаване

Свръхвисоко аспектно съотношение на десет хиляди нива, ниско проводящо количество от 0,03%, намалена доза пълнител с още 30% в сравнение с TF1000 за същия проводящ ефект. Диаметърът на тръбата е много по-малък от дължината на вълната на видимата светлина, подготвяйки прозрачни проводими филми без мъгла и висока пропускливост, адаптирайки се към масовото производство на сгъваеми екрани и фотоволтаични прозрачни електроди.

Ultra-high crystallinity G/D >50, изключително малко структурни дефекти на стената на тръбата, максимална стабилност на електрохимичния цикъл

Стените на графеновите тръби с нисък дефект намаляват страничните реакции на електролитния интерфейс. Когато се използват в силициево-въглеродни аноди и твърдотелни батерии, те могат значително да потиснат непрекъснатото удебеляване на SEI филма, като животът на клетъчния цикъл е подобрен с повече от 35% в сравнение с базовите едностенни TF1000, адаптирайки се към захранващи батерии за пътнически превозни средства с дълъг обхват от висок клас.

Може насочено да разделя полупроводникови едностенни въглеродни тръби, основен субстрат за гъвкави чипове с ниска мощност

Първоначалните едностенни суровини с висока чистота улесняват последващото центрофугиране в градиент на плътността, произвеждайки голям дял полупроводникови едностенни въглеродни нанотръби с висока мобилност на носителя и изключително ниска консумация на енергия на устройството, което ги прави основни суровини за следващо поколение гъвкави логически схеми с ниска мощност и микро сензорни чипове.

Изключително голяма специфична повърхност 500–1000 m²/g, ултра-високо чувствително улавяне на следи от молекули

Масивни електрохимични активни центрове с способност за адсорбция и разпознаване на газове, биологични протеини и следи от молекули на тежки метали, далеч надхвърлящи TF1000, адаптиращи се към медицински диагностични биосензори и сонди за прецизно откриване на следи от замърсители в околната среда.

Военна и космическа, напълно съвместима система с висока чистота, лека проводима и топлопроводима интегрирана структурна армировка

Съставите с ниско съдържание на примеси, без утаяване отговарят на стандартите за приемане на авиационни и военни електронни компоненти. Изключително ниското запълване може да постигне тройния ефект на постоянна проводимост, електромагнитно екраниране и структурно укрепване, което значително намалява собственото тегло на сателитните и самолетните компоненти.

1. Въглеродни полупроводници с усъвършенстван процес, тънкослойни транзистори с полеви ефекти

7 nm и по-малко технологични интегрални схеми, гъвкави логически чипове, микро сензорни схеми с ниска мощност; свръхвисоката чистота на една стена осигурява високо съотношение на включване/изключване на транзистора и ниско утечка, замествайки традиционните материали на основата на силиций за научноизследователска и развойна дейност на микро-нано електроника след ерата на Мур.

2. Военни/аерокосмически леки проводими екраниращи композитни материали със свръхвисока чистота

Сателитни олекотени електромагнитни екраниращи корпуси, разсейване на топлината на самолети и проводящи интегрирани панели, електроди за военни устройства за съхранение на енергия; ниското съдържание на метални примеси отговаря на стандартите за дългосрочна стабилна работа на военни компоненти в орбита.

3. Силициево-въглеродни аноди от висок клас, сулфидни изцяло твърдотелни батерии

Проводими добавки, предназначени за силициево-въглеродни аноди за потребителска електроника от висок клас и батерии за пътнически превозни средства с голям обхват; свръхниските примеси потискат саморазреждането на клетките, ултра дългите въглеродни тръби буферират обемното разширяване на силициевите частици, значително удължавайки живота на цикъла.

4. Гъвкави прозрачни проводими филми с висока пропускливост, сгъваеми OLED дисплеи

Замяна на дефицитния ITO индиев калаен оксид, подготовка на незамъглени проводими филми с висока пропускливост, адаптиране към сгъваеми сензорни екрани, носещи се медицински ЕКГ електроди и прозрачни колектори на фотоволтаични клетки, със затихване на съпротивлението под 3% след хиляда огъвания.

5. Свръхвисоко прецизни сензори за биологични и екологични следи

Медицински сензори за откриване на протеини, откриване на следи от атмосферни токсични газове, сонди за следене на тежки метали във вода; ултра-голямата специфична повърхност позволява разпознаване на следи от молекули на ниво ppb, с чувствителност на откриване, превъзхождаща тази на TF1000 основни едностенни.

6. Университетски гранични изследователски проекти за ултра-висока чистота на наноматериали

Проби с висока чистота, посветени на високопрецизна лабораторна научноизследователска и развойна дейност, като полупроводниково едностенно хирално разделяне, усъвършенствани механизми на чипове на базата на въглерод, механизми с дълъг цикъл на твърда батерия и аерокосмически леки композитни материали.

Въпрос 1: Какви са основните разлики при избора на ядра между TF1010 с една стена с ултрависока чистота и TF1000 с основна едностенна стена и как трябва да се избират полупроводниковите чипове?

A: TF1000 едностенна чистота е само по-голяма или равна на 80%, подходяща за силициево-въглеродни аноди, обикновени гъвкави проводящи филми и конвенционални лабораторни основни R&D; Чистотата на TF1010 с една стена е по-голяма или равна на 98,5%, с метална пепел в рамките на 100 ppm и изключително малко различни тръби и аморфни въглеродни примеси, специално за полупроводникови интегрални схеми, военни и аерокосмически, ултрависоко прецизни биосензори, твърдотелни батерии от висок клас и други сценарии с нулева толерантност към примеси; за висока стабилност на устройството, ниско изтичане и дълги цикли трябва да се избере TF1010.

В2: Към какви сценарии се адаптират съответно трите спецификации на пепелта на TF1010?

A: <100 ppm (military/semiconductor chip highest grade), <500 ppm (high-end solid-state batteries, medical sensors), <2000 ppm (high-end silicon-carbon anodes, commercial flexible screens), freely selectable according to downstream product impurity admission standards.

В3: TF1010 с едностенна чистота от 98,5%, колко подобрения носи в съотношението включване/изключване на транзистора?

A: Тъй като TF1000 съдържа големи количества многостенни различни тръби, съотношението включване/изключване на транзистора е само 10³–10⁴; TF1010 има изключително малко различни фазови примеси и след разделяне съотношението на включване/изключване на устройството с полупроводникова въглеродна тръба може да достигне над 10⁷, отговаряйки на изискванията за производителност на усъвършенстваните технологични чипове.

Q4: Когато TF1010 се използва в твърдотелни батерии, колко може да се намали саморазреждането на клетките в сравнение с TF1000?

A: Металните каталитични примеси TF1010 са значително намалени, 30-дневното съхранение на капацитета на твърдотелна клетка при стайна температура е намалено с 40%, а животът на цикъла е подобрен с 35%, адаптирайки се към пилотно масово производство на твърдотелни батерии с голям обсег за автомобилни производители.

Q5: Прахът TF1010 трудно ли се диспергира и може ли да се адаптира към суспензии, поддържащи полупроводникова литография?

A: Amino модифициран TF1010 прах с висока чистота може да бъде персонализиран, като се адаптира към дисперсия на органичен разтворител с ниско съдържание на примеси, предназначена за литография, без следи от метални утайки, замърсяващи вафли; нашата компания може да осигури дисперсионни процеси с ниско срязване и висока чистота.

Q6: За експортни военни и полупроводникови проекти, може ли TF1010 да издава специални доклади за изпитване на метални примеси с висока чистота?

О: Всяка партида е снабдена с независим ICP-OES тестов лист за пепел с висока чистота, точно етикетиращ остатъчното съдържание на различни метали на катализатора. Пълният набор от документи RoHS, REACH и MSDS е завършен, отговаряйки на одити от трети страни за материали за внос и износ на военни и полупроводници.

Q7: Каква пропускливост може да постигне TF1010 при подготовката на прозрачни проводими филми? Има ли проблеми със замъгляването?

A: Пропускливост на филма По-голяма или равна на 90%, мъгла<1%, far superior to TF1000 basic single-walled, with no film surface graying or uneven transmittance caused by miscellaneous tubes, adapting to mass production of high-end foldable display panels.

Популярни тагове: tf1010 едностенни въглеродни нанотръби на прах, Китай tf1010 едностенни въглеродни нанотръби на прах производители, доставчици, фабрика, Вода от въглеродни нанотръби, Медни нано тръби, Функция на въглеродните нанотръби, Едно стени въглеродни нанотръби SWCNT, структура на едностенни въглеродни нанотръби, зигзагообразна нанотръба